Справочник электронных компонентов

Транзистор IPP114N12N3G

IPP114N12N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPP114N12N3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
IPB108N15N3G SMD N 214 150 - - 83 0.0108 41 - - - D2PAK
IPD110N12N3G SMD N 136 120 - - 75 0.011 49 - - - DPAK
IPI111N15N3G PTH N 214 150 - - 83 0.0111 41 - - - I2PAK
IPP111N15N3G PTH N 214 150 - - 83 0.0111 41 - - - TO-220
IPS110N12N3G PTH N 136 120 - - 75 0.011 49 - - - IPAK-SL