Справочник электронных компонентов

Транзистор IPP80N04S4-03

IPP80N04S4-03 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPP80N04S4-03 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB266L SMD N 268 60 20 3.2 140 0.0032 65 20 720 175 TO-263
AOB282L SMD N 272.5 80 20 3.5 105 0.0032 58 18 960 175 TO-263
AOT266L PTH N 268 60 20 3.2 140 0.0035 65 20 720 175 TO-220
AOT282L PTH N 272.5 80 20 3.5 105 0.0035 58 18 960 175 TO-220
AP0103GP-HF PTH N 250 40 20 - 220 0.00299 30 80 605 150 TO-220
BSC028N06LS3G SMD N 139 60 - - 100 0.0028 59 - - - SuperSOT-8
BUK7Y3R5-40E SMD N 167 40 20 4 100 0.0035 49.4 24.9 514 175 LFPAK56
BUK9Y3R0-40E SMD N 194 40 10 2.1 100 0.0025 35.5 44 563 175 LFPAK56
BUK9Y3R5-40E SMD N 167 40 10 2.1 100 0.0036 30.2 36.8 487 175 LFPAK56
BUK9Y4R4-40E SMD N 147 40 10 2.1 100 0.0037 26.8 31 422 175 LFPAK56
CEB14G04 SMD N 100 40 20 - 140 0.0036 50 12 570 175 TO-263
CEP14G04 PTH N 100 40 20 - 140 0.0036 50 12 570 175 TO-220
CSD18502KCS PTH N 259 40 20 2.1 100 0.0029 25 7.3 900 175 TO-220
CSD18535KCS PTH N 300 60 20 2.4 200 0.002 63 3 890 175 TO-220
FDD9409_F085 SMD N 150 40 20 - 90 0.0032 42 - - 175 TO-252
IPB020N04NG SMD N 167 40 - - 140 0.002 43 - - - D2PAK
IPB034N06L3G SMD N 167 60 - - 90 0.0037 59 - - - D2PAK
IPD031N06L3G SMD N 167 60 - - 100 0.0031 59 - - - DPAK
IPD036N04LG SMD N 94 40 - - 90 0.0036 59 - - - DPAK
IPD90N04S4-03 SMD N 94 40 - - 90 0.0032 66 - - - TO-252
IPI037N06L3G PTH N 167 60 - - 90 0.0037 59 - - - I2PAK
IPI80N04S4-03 PTH N 94 40 - - 80 0.0037 66 - - - TO-262
IPP037N06L3G PTH N 167 60 - - 90 0.0037 59 - - - TO-220
PSMN2R6-40YS SMD N 131 40 20 4 100 0.0028 63 - - 175 LFPAK
PSMN2R8-40BS SMD N 211 40 20 4 100 0.0029 61 29 937 175 D2PAK
PSMN3R3-40YS SMD N 117 40 20 4 100 0.0033 49 - - 175 LFPAK
STP190N55LF3 PTH N 312 55 18 2.5 120 0.0037 60 - - 175 TO-220