Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFBC30SPBF

IRFBC30SPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IRFBC30SPBF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
CS5N70A4 SMD N 85 700 30 4 5 2.2 18.6 11 69 150 TO-252
IRFBC30LPBF PTH N 74 600 20 4 3.6 2.2 31 13 86 150 TO-262
SIHB6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-263
SIHD6N62E SMD N 78 620 30 4 6 0.9 17 10 36 150 TO-252
SIHD6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-252
SIHD7N60E SMD N 78 600 20 4 7 0.6 20 13 39 150 TO-252
SIHFBC30L PTH N 74 600 20 4 3.6 2.2 31 13 86 150 TO-262
SIHFBC30S SMD N 74 600 20 4 3.6 2.2 31 13 86 150 TO-263
SIHP6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-220AB
SIHP7N60E PTH N 78 600 20 4 7 0.6 20 13 39 150 TO-220AB
SIHU6N62E PTH N 78 620 30 4 6 0.9 17 10 36 150 TO-251
SIHU6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-251
SIHU7N60E PTH N 78 600 20 4 7 0.6 20 13 39 150 TO-251
STB10N60M2 SMD N 85 600 25 4 7.5 0.6 13.5 8 22 150 D2PAK
STD10N60M2 SMD N 85 650 25 4 7.5 0.6 13.5 8 22 150 DPAK
STD11N65M2 SMD N 85 650 25 4 7 0.67 12.5 7.5 20 150 DPAK
STD11NM65N SMD N 110 650 25 4 11 0.455 29 10.8 50 150 DPAK
STD12N65M2 SMD N 85 650 25 4 8 0.5 16.5 7 25 150 DPAK
STP10N60M2 PTH N 85 600 25 4 7.5 0.6 13.5 8 22 150 TO-220
STP11N65M2 PTH N 85 650 25 4 7 0.67 12.5 7.5 20 150 TO-220
STP11NM65N PTH N 110 650 25 4 11 0.455 29 10.8 50 150 TO-220
STP12N60M2 PTH N 85 600 25 4 9 0.45 16 9.2 29 150 TO-220
STU10N60M2 PTH N 85 600 25 4 7.5 0.6 13.5 8 22 150 IPAK
STU10NM65N PTH N 90 650 25 4 9 0.48 25 8 53 150 IPAK
STU11N65M2 PTH N 85 650 25 4 7 0.67 12.5 7.5 20 150 IPAK
STU12N60M2 PTH N 85 600 25 4 9 0.45 16 9.2 29 150 IPAK