Транзистор IRFD110
IRFD110 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: HVMDIP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.54 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 8.3 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFD110 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 7N10G-AA3 |
SMD |
N |
2 |
100 |
25 |
4 |
5 |
0.35 |
5.8 |
24 |
60 |
150 |
SOT-223 |
| 7N10G-TN3 |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
25 |
4 |
5 |
0.35 |
5.8 |
24 |
60 |
150 |
TO-252 |
| 7N10L-AA3 |
SMD |
N |
2 |
100 |
25 |
4 |
5 |
0.35 |
5.8 |
24 |
60 |
150 |
SOT-223 |
| 7N10L-TN3 |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
25 |
4 |
5 |
0.35 |
5.8 |
24 |
60 |
150 |
TO-252 |
| FQT7N10TF |
SMD |
N |
2 |
100 |
25 |
4 |
1.7 |
0.35 |
5.8 |
24 |
60 |
150 |
SOT-223 |
| IRFD110PBF |
PTH |
N |
1.3 |
100 |
20 |
4 |
1 |
0.54 |
8.3 |
16 |
81 |
175 |
DIP-4 |
| IRFL110 |
SMD |
N |
2 |
100 |
20 |
4 |
1.5 |
0.54 |
8.3 |
- |
180 |
150 |
SOT-223 |
| KDS3601 |
SMD |
N |
1.6 |
100 |
20 |
4 |
1.3 |
0.48 |
3.7 |
4 |
5 |
175 |
SOP-8 |
| KU3600N10W |
SMD |
N |
2 |
100 |
20 |
4 |
1.7 |
0.36 |
4.2 |
15 |
25 |
150 |
SOT-223 |
| PHT2NQ10T |
SMD |
N |
6.25 |
100 |
20 |
4 |
2.5 |
0.43 |
5.1 |
7.7 |
29 |
150 |
SOT-223 |
| SIHFD110 |
PTH |
N |
1.3 |
100 |
20 |
4 |
1 |
0.54 |
8.3 |
16 |
81 |
175 |
HVMDIP |
| SIHFL110 |
SMD |
N |
3.1 |
100 |
20 |
4 |
1.5 |
0.54 |
8.3 |
16 |
81 |
150 |
SOT-223 |