Транзистор IRFR214
IRFR214 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 8.2 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFR214 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF614S |
SMD |
N |
36 |
250 |
20 |
4 |
2.7 |
2 |
8.2 |
- |
- |
150 |
D2PAK |
| IRF614SPBF |
SMD |
N |
36 |
250 |
20 |
4 |
2.7 |
2 |
8.2 |
7.6 |
42 |
150 |
TO-263 |
| IRFU214B |
PTH |
N |
25 |
250 |
30 |
4 |
2.2 |
2 |
8.1 |
30 |
35 |
150 |
TO-251 |
| IRFU214PBF |
PTH |
N |
25 |
250 |
20 |
4 |
2.2 |
2 |
8.2 |
7.6 |
42 |
150 |
TO-251 |
| KF5N25D |
SMD |
N |
50 |
250 |
30 |
4 |
4.4 |
1.1 |
6 |
12 |
40 |
150 |
DPAK |
| MMIS70H900QTH |
PTH |
N |
28 |
700 |
30 |
4 |
3.2 |
1.4 |
8 |
19 |
19 |
150 |
TO-251 |
| SIHF614S |
SMD |
N |
36 |
250 |
20 |
4 |
2.7 |
2 |
8.2 |
7.6 |
42 |
150 |
TO-263 |
| SIHFR214 |
SMD |
N |
25 |
250 |
20 |
4 |
2.2 |
2 |
8.2 |
7.6 |
42 |
150 |
TO-252 |
| SIHFU214 |
PTH |
N |
25 |
250 |
20 |
4 |
2.2 |
2 |
8.2 |
7.6 |
42 |
150 |
TO-251 |
| STB6N60M2 |
SMD |
N |
60 |
600 |
25 |
4 |
4.5 |
1.2 |
8 |
7.4 |
14 |
150 |
D2PAK |
| STD6N60M2 |
SMD |
N |
60 |
600 |
25 |
4 |
4.5 |
1.2 |
8 |
7.4 |
14 |
150 |
DPAK |
| STU6N60M2 |
PTH |
N |
60 |
600 |
25 |
4 |
4.5 |
1.2 |
8 |
7.4 |
14 |
150 |
IPAK |
| TMD5N40ZG |
SMD |
N |
50 |
400 |
30 |
4 |
3.4 |
1.6 |
7.1 |
10 |
56 |
150 |
DPAK |
| TMU5N40ZG |
PTH |
N |
50 |
400 |
30 |
4 |
3.4 |
1.6 |
7.1 |
10 |
56 |
150 |
IPAK |