Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFH75N10

IXFH75N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 180 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 4500 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFH75N10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQA90N10V2	PTH	N	330	100	30	4	105	0.01	147	492	1180	175	TO-3P
IXFR80N10Q	PTH	N	310	100	20	4	76	0.015	180	70	1600	150	ISOPLUS247
RU120N15Q	PTH	N	326	150	25	4	120	0.017	155	40	900	175	TO-247
RU120N15R	PTH	N	312	150	25	4	120	0.017	155	40	900	175	TO-220
RU190N10Q	PTH	N	312	100	25	4	190	0.008	155	42	1000	175	TO-247
RU190N10R	PTH	N	312	100	25	4	190	0.008	155	42	1000	175	TO-220
RU190N10S	SMD	N	312	100	25	4	190	0.008	155	42	1000	175	TO-263
RU1H190R	PTH	N	333	100	25	4	190	0.0065	158	38	940	175	TO-220
RU1H190S	SMD	N	333	100	25	4	190	0.0065	158	38	940	175	TO-263
SM1108NSF	PTH	N	300	100	25	4	120	0.0074	110	20	900	175	TO-220