Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFH7N80

IXFH7N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IXFH7N80 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
FMH09N90E PTH N 205 900 30 4.5 9 1.4 50 30 150 150 TO-3PQ
FMH11N90E PTH N 285 900 30 4.5 11 1 60 32 200 150 TO-3PQ
HFH10N80 PTH N 240 800 30 4.5 10 1.15 58 150 230 150 TO-3P
HFH11N90 PTH N 300 900 30 4.5 11 1.15 75 155 260 150 TO-3P
HFH13N80 PTH N 300 800 30 4.5 12.6 0.95 68 175 270 150 TO-3P
HFP10N80 PTH N 195 800 30 4.5 9.4 1.15 58 150 230 150 TO-220
IXFC15N80Q PTH N 231 800 20 4.5 15 0.6 90 250 - 150 ISOPLUS220
IXFH13N80Q PTH N 250 800 20 4.5 13 0.8 90 - - 150 TO-247
IXFH15N80Q PTH N 298 800 20 4.5 15 0.6 90 250 - 150 TO-247
IXFH17N80Q PTH N 400 800 20 4.5 17 0.6 95 250 - 150 TO-247
IXFH8N80 PTH N 180 800 20 4.5 8 1.1 85 - - 150 TO-247
IXFH9N80 PTH N 180 800 20 4.5 9 0.9 85 - - 150 TO-247
IXFR15N80Q PTH N 250 800 20 4.5 13 0.6 90 - - 150 TO-247
IXFT13N80Q SMD N 250 800 20 4.5 13 0.8 90 - - 150 TO-268
IXFT15N80Q SMD N 300 800 20 4.5 15 0.6 90 - - 150 TO-268
IXFT17N80Q SMD N 400 800 20 4.5 17 0.6 95 27 350 150 TO-268
SM8A01NSW PTH N 208 800 30 4.5 13 0.38 55 45 745 150 TO-247
SM8A02NSF PTH N 277 800 30 4.5 17 0.31 60 44 865 150 TO-220
SM8A02NSW PTH N 277 800 30 4.5 17 0.31 60 44 865 150 TO-247
SM9A01NSF PTH N 192 900 30 4.5 12 0.48 56 29 950 150 TO-220
SSH8N80 PTH N 190 800 30 4.5 8 1.4 55 200 210 150 TO-3P
STB12NK80ZT4 SMD N 190 800 30 4.5 10.5 0.75 87 18 250 150 D2PAK
STP12NK80Z PTH N 190 800 30 4.5 10.5 0.75 87 - - 150 TO-220
STW11NK90Z PTH N 200 900 30 4.5 9.2 0.98 95 - - 150 TO-247
STW12NK80Z PTH N 190 800 30 4.5 10.5 0.75 87 - - 150 TO-247