Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFR80N20Q

IXFR80N20Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 310 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 180 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFR80N20Q можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH80N20Q	PTH	N	360	200	20	4	80	0.03	180	-	4600	150	TO-247
IXFH88N20Q	PTH	N	500	200	30	4	88	0.03	146	200	-	150	TO-247
IXFK80N20Q	PTH	N	360	200	20	4	80	0.03	180	-	4600	150	TO-264
IXFK88N20Q	PTH	N	481	200	30	4	88	0.028	149	200	-	150	TO-264
IXFT80N20Q	SMD	N	360	200	20	4	80	0.015	180	-	4600	150	TO-268
IXFX88N20Q	PTH	N	500	200	30	4	88	0.028	146	200	-	150	PLUS247