Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFR80N50P

IXFR80N50P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOPLUS247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.072 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 197 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFR80N50P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFK80N50P	PTH	N	1040	500	30	5	80	0.065	197	200	-	150	TO-264
IXFN80N50P	Модуль	N	700	500	30	5	66	0.065	195	200	-	150	MINIBLOC
IXFX80N50P	PTH	N	1040	500	30	5	80	0.065	197	200	-	150	PLUS247
IXTH52N65X	PTH	N	660	650	30	5	52	0.068	113	57	3300	150	TO-247
IXTH64N65X	PTH	N	890	650	30	5	64	0.051	143	25	4090	150	TO-247
IXTK102N65X2	PTH	N	1040	650	30	5	102	0.03	152	28	6100	150	TO-264P
IXTN102N65X2	Модуль	N	595	650	30	5	76	0.03	152	28	6100	150	MINIBLOC
IXTX102N65X2	PTH	N	1040	650	30	5	102	0.03	152	28	6100	150	PLUS247