Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFT58N20

IXFT58N20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-268

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 58 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.04 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 190 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFT58N20 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT20M38SVFRG	SMD	N	370	200	30	4	67	0.038	148	21	1145	150	D3PAK
IXFH66N20Q	PTH	N	400	200	30	4	66	0.04	105	200	-	150	TO-247
IXFH88N20Q	PTH	N	500	200	30	4	88	0.03	146	200	-	150	TO-247
IXFK88N20Q	PTH	N	481	200	30	4	88	0.028	149	200	-	150	TO-264
IXFX88N20Q	PTH	N	500	200	30	4	88	0.028	146	200	-	150	PLUS247
IXTH72N20	PTH	N	400	200	20	4	72	0.032	170	200	-	150	TO-247
IXTT72N20	SMD	N	400	200	20	4	72	0.032	170	200	-	150	TO-268
RU2H50Q	PTH	N	326	200	25	4	60	0.04	160	70	620	175	TO-247
SML20B67F	PTH	N	370	200	20	4	67	0.038	175	21	1160	150	TO-247AD