Транзистор IXTA05N100P
IXTA05N100P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 30 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 750 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IXTA05N100P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK3748-1E |
PTH |
N |
65 |
1500 |
20 |
- |
4 |
7 |
80 |
75 |
140 |
150 |
TO-3PF |
| BUZ50A-220M |
PTH |
N |
75 |
1000 |
20 |
- |
1 |
10 |
- |
150 |
300 |
150 |
TO-220M |
| BUZ50B-220M |
PTH |
N |
75 |
1000 |
20 |
- |
1.5 |
10 |
- |
150 |
300 |
150 |
TO-220M |
| IXTA1N100P |
SMD |
N |
50 |
1000 |
20 |
4.5 |
1 |
15 |
15.5 |
750 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTA1R4N100P |
SMD |
N |
63 |
1000 |
20 |
4.5 |
1.4 |
11 |
17.8 |
750 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTH1N100 |
PTH |
N |
60 |
1000 |
20 |
4.5 |
1.5 |
11 |
23 |
710 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXTP05N100P |
PTH |
N |
50 |
1000 |
20 |
4 |
0.5 |
30 |
- |
750 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTP1N100P |
PTH |
N |
50 |
1000 |
20 |
4.5 |
1 |
15 |
15.5 |
750 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTP1R4N100P |
PTH |
N |
63 |
1000 |
20 |
4.5 |
1.4 |
11 |
17.8 |
750 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTT1N100 |
SMD |
N |
60 |
1000 |
20 |
4.5 |
1.5 |
11 |
23 |
710 |
- |
150 |
TO-268 |
| IXTY1N100P |
SMD |
N |
50 |
1000 |
20 |
4.5 |
1 |
15 |
15.5 |
750 |
- |
150 |
TO-252 |
| IXTY1R4N100P |
SMD |
N |
63 |
1000 |
20 |
4.5 |
1.4 |
11 |
17.8 |
750 |
- |
150 |
TO-252 |