Транзистор IXTQ69N30P
IXTQ69N30P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 500 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 69 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.049 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 156 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 330 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTQ69N30P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH69N30P |
PTH |
N |
500 |
300 |
20 |
5 |
69 |
0.049 |
156 |
200 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFT69N30P |
SMD |
N |
500 |
300 |
20 |
5 |
69 |
0.049 |
156 |
200 |
- |
150 |
TO-268 |
| IXTT69N30P |
SMD |
N |
500 |
300 |
20 |
5 |
69 |
0.049 |
156 |
330 |
- |
150 |
TO-268 |