Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTQ69N30PM

IXTQ69N30PM - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 90 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.049 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 156 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IXTQ69N30PM можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP88N30W	PTH	N	150	300	30	-	48	0.048	150	142	1775	150	TO-3P
APT30M36JFLL	Модуль	N	463	300	30	5	76	0.036	115	28	1540	150	ISOTOP
IXFH69N30P	PTH	N	500	300	20	5	69	0.049	156	200	-	150	TO-247
IXFH80N65X2	PTH	N	890	650	30	5.5	80	0.04	143	42	5510	150	TO-247
IXFT69N30P	SMD	N	500	300	20	5	69	0.049	156	200	-	150	TO-268
IXTH80N65X2	PTH	N	890	650	30	4.5	80	0.04	144	25	5208	150	TO-247
IXTN102N65X2	Модуль	N	595	650	30	5	76	0.03	152	28	6100	150	MINIBLOC
IXTR102N65X2	PTH	N	330	650	30	5	54	0.033	152	28	6100	150	ISOPLUS247
TK62N60X	PTH	N	400	600	30	3.5	61.8	0.04	135	40	140	150	TO-247