Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTY01N80

IXTY01N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IXTY01N80 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
IXTA05N100 SMD N 40 1000 30 4.5 0.75 17 - 710 - 150 TO-263
IXTA06N120P SMD N 42 1200 20 4.5 0.6 34 13.3 900 - 150 TO-263
IXTA08N120P SMD N 50 1200 20 4.5 0.8 25 14 900 - 150 TO-263
IXTA1N100P SMD N 50 1000 20 4.5 1 15 15.5 750 - 150 TO-263
IXTA1N120P SMD N 63 1200 20 4.5 1 20 17.6 900 - 150 TO-263
IXTA1N80 SMD N 40 800 20 4.5 1 11 - 710 - 150 TO-263
IXTP05N100 PTH N 40 1000 30 4.5 0.75 17 - 710 - 150 TO-220
IXTP05N100M PTH N 25 1000 30 4.5 0.7 17 - 710 - 150 TO-220
IXTP06N120P PTH N 42 1200 20 4.5 0.6 34 13.3 900 - 150 TO-220
IXTP08N120P PTH N 50 1200 20 4.5 0.8 25 14 900 - 150 TO-220
IXTP1N100P PTH N 50 1000 20 4.5 1 15 15.5 750 - 150 TO-220
IXTP1N120P PTH N 63 1200 20 4.5 1 20 17.6 900 - 150 TO-220
IXTP1N80 PTH N 40 800 20 4.5 1 11 - 710 - 150 TO-220
IXTU05N100 PTH N 40 1000 30 4.5 0.75 17 - 710 - 150 TO-251
IXTY1N100P SMD N 50 1000 20 4.5 1 15 15.5 750 - 150 TO-252
IXTY1N80 SMD N 40 800 20 4.5 1 11 - 710 - 150 TO-252AA