Транзистор KTK5131V
KTK5131V - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: VSM
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.05 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 140 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 6.5 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор KTK5131V можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 5HN01C |
SMD |
N |
0.25 |
50 |
20 |
2.4 |
0.1 |
10.5 |
1.4 |
105 |
6.2 |
150 |
CP |
| 5HN01M |
SMD |
N |
0.15 |
50 |
20 |
2.4 |
0.1 |
10.5 |
1.4 |
105 |
6.2 |
150 |
MCP |
| 5HN01S |
SMD |
N |
0.15 |
50 |
20 |
2.4 |
0.1 |
10.5 |
1.4 |
105 |
6.2 |
150 |
SMCP |
| 5HN01SS |
SMD |
N |
0.15 |
50 |
20 |
2.4 |
0.1 |
10.5 |
1.4 |
105 |
6.2 |
150 |
SSFP |
| KTK5131E |
SMD |
N |
0.1 |
30 |
20 |
- |
0.05 |
15 |
- |
140 |
6.5 |
150 |
ESM |
| KTK5131S |
SMD |
N |
0.2 |
30 |
20 |
- |
0.05 |
15 |
- |
140 |
6.5 |
150 |
SOT-23 |
| KTK5133S |
SMD |
N |
0.2 |
30 |
20 |
- |
0.15 |
3.7 |
- |
84 |
5.9 |
150 |
SOT-23 |
| KTK5162S |
SMD |
N |
0.2 |
60 |
20 |
- |
0.1 |
3 |
- |
21 |
4.4 |
150 |
SOT-23 |