Справочник электронных компонентов

Транзистор PJF4NA70

PJF4NA70 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ITO-220ABF

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 33 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.8 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 76 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PJF4NA70 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP04N70BS-H	SMD	N	62.5	700	30	4	4	2.4	-	9	75	150	TO-263
AP70WN1K5I	PTH	N	34.7	700	30	4	6	1.5	-	23	45	150	TO-220F
AP70WN1K5P	PTH	N	89.2	700	30	4	6	1.5	-	23	45	150	TO-220
AP70WN2K8H	SMD	N	50	700	30	4	4	2.8	-	17	34	150	TO-252
CS4N70ARHD	PTH	N	70	700	30	4	4	2.8	15	17	50	150	TO-262
CS5N70A4	SMD	N	85	700	30	4	5	2.2	18.6	11	69	150	TO-252
MMD70R600PRH	SMD	N	71	700	30	4	7.3	0.6	23	27.6	34.9	150	TO-252
PJD4NA70	SMD	N	77	700	30	4	4	2.8	-	35	76	150	TO-252AA
PJP4NA70	PTH	N	100	700	30	4	4	2.8	-	35	76	150	TO-220AB
PJU4NA70	PTH	N	77	700	30	4	4	2.8	-	35	76	150	TO-251AA
SSM04N70BGF-H	PTH	N	33	700	30	4	4	2.4	16.7	8.3	65	150	TO-220FM