Справочник электронных компонентов

Транзистор RFP30P05

RFP30P05 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор RFP30P05 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AUIRF4905 PTH P 200 55 20 4 74 0.02 120 - - 175 TO-220AB
AUIRF4905L PTH P 200 55 20 4 74 0.02 120 - - 150 TO-262
AUIRF4905S SMD P 200 55 20 4 74 0.02 120 - - 150 D2PAK
AUIRF5210S SMD P 170 100 20 4 38 0.06 150 63 - 150 D2PAK
FQA47P06 PTH P 214 60 25 4 55 0.026 84 450 1300 175 TO-3PN
FQB34P10TM SMD P 155 100 25 4 33.5 0.06 85 250 730 175 D2PAK
FQB47P06TM_AM002 SMD P 160 60 25 4 47 0.026 84 450 1300 175 D2PAK
FQI34P10TU PTH P 155 100 25 4 33.5 0.06 85 250 730 175 I2PAK
FQI47P06TU PTH P 160 60 25 4 47 0.026 84 450 1300 175 I2PAK
FQP47P06 PTH P 160 60 25 4 47 0.026 84 - - 175 TO-220
IRF4905LPBF PTH P 170 55 20 4 42 0.02 120 99 1250 150 TO-262
IRF4905SPBF SMD P 170 55 20 4 42 0.02 120 99 1250 150 TO-263
IRF5210L PTH P 200 100 20 4 40 0.06 120 - - 175 TO-262
IRF5210LPBF PTH P 170 100 20 4 38 0.06 150 63 800 150 TO-262
IRF5210SPBF SMD P 170 100 20 4 38 0.06 150 63 800 150 TO-263
IRHNA597160 SMD P 250 100 20 4 47 0.049 170 100 1570 150 SMD2
IXTH90P10P PTH P 462 100 20 4 90 0.025 120 144 - 175 TO-247
IXTR90P10P PTH P 190 100 20 4 57 0.027 120 144 - 150 ISOPLUS247
IXTT90P10P SMD P 462 100 20 4 90 0.025 120 144 - 150 TO-268
OM60N10SC PTH P 130 100 - 4 60 0.025 120 270 1100 150 TO-258AA
RU1HP55R PTH P 176 100 25 4 55 0.04 155 87 535 175 TO-220
RU1HP60R PTH P 188 100 25 4 60 0.025 164 83 615 175 TO-220
RU60P60R PTH P 176 60 20 4 60 0.03 138 94 510 175 TO-220
SPP80P06P PTH P 340 60 20 4 80 0.023 115 18 1252 175 TO-220-3
SPP80P06PG PTH P 340 60 20 4 80 0.023 115 18 1252 175 TO-220-3
SUD50P08-26 SMD P 136 80 20 4 50 0.026 102 50 320 175 TO-252
SUD50P10-43 SMD P 136 100 20 4 38 0.043 105 115 230 175 TO-252