Справочник электронных компонентов

Транзистор RFP8P08

RFP8P08 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор RFP8P08 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
IRF5NJ6215 SMD P 75 150 20 4 11 0.29 66 65 230 150 SMD0.5
IRF5Y6215CM PTH P 75 150 20 4 11 0.29 66 65 230 150 TO-257AA
IRF6215LPBF PTH P 110 150 20 4 13 0.29 66 36 220 175 TO-262
IRF6215PBF PTH P 110 150 20 4 13 0.29 66 36 220 175 TO-220AB
IRF6215SPBF SMD P 110 150 20 4 13 0.29 66 36 220 175 TO-263
IRF9530NPBF PTH P 79 100 20 4 14 0.2 58 58 260 175 TO-220AB
IRF9530NSPBF SMD P 79 100 20 4 14 0.2 58 58 260 175 TO-263
IRF9530PBF PTH P 88 100 20 4 12 0.3 38 52 340 175 TO-220AB
IRF9530S SMD P 88 100 20 4 12 0.3 38 52 340 175 TO-263
IRF9530SPBF SMD P 88 100 20 4 12 0.3 38 52 340 175 TO-263
IRF9540NLPBF PTH P 110 100 20 4 23 0.117 73 64 430 150 TO-262
IRF9540NPBF PTH P 140 100 20 4 23 0.117 97 67 400 175 TO-220AB
IRF9540NSPBF SMD P 110 100 20 4 23 0.117 73 64 430 150 TO-263
IRFN9530 SMD P 75 100 20 4 12 0.3 93 52 340 175 SMD1
IRFP9140NPBF PTH P 140 100 20 4 23 0.117 - 67 400 175 TO-247AC
IRFR6215PBF SMD P 110 150 20 4 13 0.295 66 36 220 175 TO-252
IRFU6215PBF PTH P 110 150 20 4 13 0.295 66 36 220 175 TO-251
IRH9130 PTH P 75 100 20 4 11 0.3 - 50 300 150 TO-3
IRHM9130 PTH P 75 100 20 4 11 0.3 - 50 300 150 TO-254AA
IRHN9130 SMD P 75 100 20 4 11 0.3 - 50 300 150 TO-276AB
KRFR6215 SMD P 110 150 20 4 13 0.295 66 36 220 175 TO-252
RFM8P08 PTH P 100 80 20 4 8 0.4 - 70 700 150 TO-204AA
RFM8P10 PTH P 100 100 20 4 8 0.4 - 70 700 150 TO-204AA
SFF20P10J PTH P 100 100 20 4 20 0.2 - 27 600 150 TO-257
SFI9540 SMD P 132 100 20 4 17 0.2 - 22 240 175 D2PAK
SIHF9530 PTH P 88 100 20 4 12 0.3 38 52 340 175 TO-220AB
SIHF9530S SMD P 88 100 20 4 12 0.3 38 52 340 175 TO-263