Транзистор RQ1A070AP
RQ1A070AP - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.01 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 80 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 135 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 900 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RQ1A070AP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP2611GYT-HF |
SMD |
P |
3.12 |
20 |
12 |
- |
15.4 |
0.008 |
50 |
22 |
615 |
150 |
PMPAK3X3 |
| AP2613GYT-HF |
SMD |
P |
3.12 |
20 |
8 |
- |
15.4 |
0.009 |
50 |
22 |
615 |
150 |
PMPAK3X3 |
| IRF9317PBF |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
2.4 |
16 |
0.0066 |
31 |
64 |
640 |
150 |
SO-8 |
| IRF9321PBF |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
2.4 |
15 |
0.0072 |
34 |
79 |
590 |
150 |
SO-8 |
| MTP4409Q8 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
- |
15 |
0.0077 |
56 |
19 |
498 |
150 |
SOP-8 |
| MTP4463Q8 |
SMD |
P |
3.1 |
20 |
12 |
- |
14 |
0.0088 |
35 |
23 |
415 |
150 |
SOP-8 |
| QM2427S |
SMD |
P |
1.5 |
20 |
8 |
1 |
10.7 |
0.009 |
63 |
76.8 |
509 |
150 |
SOP-8 |
| RQ1A070ZP |
SMD |
P |
1.5 |
12 |
10 |
- |
7 |
0.008 |
58 |
95 |
800 |
150 |
TSMT8 |
| RQ3E120AT |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
12 |
0.008 |
62 |
30 |
550 |
150 |
HSMT8 |
| RRH100P03 |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
- |
10 |
0.009 |
39 |
60 |
450 |
150 |
SOP-8 |
| SM4301PSK |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
- |
17.5 |
0.0068 |
70 |
19 |
640 |
150 |
SOP-8 |
| SQ4483EEY |
SMD |
P |
7 |
30 |
20 |
2.5 |
22 |
0.0085 |
75 |
82 |
712 |
175 |
SO-8 |
| STP4407 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
23 |
3 |
12 |
0.009 |
30 |
24 |
400 |
150 |
SOP-8 |