Справочник электронных компонентов

Транзистор SGS100MA010D1

SGS100MA010D1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор SGS100MA010D1 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
1515 PTH N 460 150 20 - 150 0.008 - 110 1446 175 TO-247
AOB290L SMD N 500 100 20 4.1 140 0.0032 90 24 2780 175 TO-263
AOT290L PTH N 500 100 20 4.1 140 0.0035 90 24 2780 175 TO-220
AOW290 PTH N 500 100 20 4.1 140 0.0032 - 65 2780 175 TO-262
APT10M11JVFR Модуль N 450 100 30 4 144 0.011 300 48 3200 150 ISOTOP
APT10M11JVR Модуль N 450 100 30 4 144 0.011 300 48 3200 150 ISOTOP
APT20M11JFLL Модуль N 694 200 30 5 176 0.011 180 65 4220 150 ISOTOP
APT20M11JLL Модуль N 694 200 30 5 176 0.011 180 65 4220 150 ISOTOP
APT20M11JVFR Модуль N 700 200 30 4 175 0.011 - 40 4100 150 ISOTOP
APT20M11JVR Модуль N 700 200 30 4 175 0.011 - 40 4100 150 ISOTOP
IRFP4568PBF PTH N 517 150 30 5 171 0.0059 151 119 977 175 TO-247AC
IRFPS3810PBF PTH N 580 100 30 5 170 0.009 390 270 2470 175 Super247
IXFK210N17T PTH N 1150 170 20 5 210 0.0075 285 40 2110 175 TO-264
IXFK260N17T PTH N 1670 170 20 5 260 0.0065 400 40 2870 175 TO-264
IXFN260N17T Модуль N 1090 170 20 5 245 0.0065 400 40 2870 175 ISOTOP
IXFX210N17T PTH N 1150 170 20 5 210 0.0075 285 40 2110 175 PLUS247
IXFX260N17T PTH N 1670 170 20 5 260 0.0065 400 40 2870 175 PLUS247
MMIX1F180N25T SMD N 570 250 20 5 130 0.013 345 33 2050 150 IsolatedTAB
MMIX1F230N20T SMD N 680 200 20 5 168 0.0083 378 35 2540 175 IsolatedTAB
MMIX1F360N15T2 SMD N 680 150 20 5 235 0.0044 715 170 3060 175 IsolatedTAB
RU1H300Q PTH N 600 100 25 4 300 0.004 430 225 1450 175 TO-247
RU1Z200Q PTH N 600 150 25 4.5 200 0.0065 390 205 1420 175 TO-247
VS-FB190SA10 Модуль N 568 100 20 4.35 190 0.0065 250 351 2800 150 ISOTOP
VS-FC220SA20 Модуль N 789 200 30 5.1 220 0.007 350 245 1600 175 ISOTOP