Справочник электронных компонентов

Транзистор SHD226409

SHD226409 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-257

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.21 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 60 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 85 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 600 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SHD226409 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRF9530NPBF	PTH	P	79	100	20	4	14	0.2	58	58	260	175	TO-220AB
IRF9530NSPBF	SMD	P	79	100	20	4	14	0.2	58	58	260	175	TO-263
IRFR5410PBF	SMD	P	66	100	20	4	13	0.205	58	58	260	150	TO-252
IRFU5410PBF	PTH	P	66	100	20	4	13	0.205	58	58	260	150	TO-251
IRFY9140CM	PTH	P	100	100	20	4	15.8	0.2	30	85	600	150	TO-257AA
IRFY9140M	PTH	P	100	100	20	4	15.8	0.2	60	85	600	150	TO-257AA
SEFN9140	SMD	P	125	100	20	4	18	0.2	60	85	600	150	SMD1
SHD219409	SMD	P	160	100	20	4	18	0.2	60	85	600	150	LCC3P
SHD225409	PTH	P	140	100	20	4	13	0.21	60	85	600	150	TO-254
ST13P10	SMD и PTH	P	66	100	20	4	13	0.13	58	58	260	150	TO-251,TO-252