Справочник электронных компонентов

Транзистор SI2338DS

SI2338DS - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор SI2338DS можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AM4812 SMD N 3.2 30 20 2.5 10 0.02 7.2 10.2 80 150 SOP-8
AM7408 SMD N 1.56 30 20 2.5 7 0.021 8 9 70 150 DFN3X3-8
FDFS6N548 SMD N 2 30 20 2.5 7 0.023 - 2 100 150 SO-8
P1603BVA SMD N 2.2 30 20 2.5 9.4 0.016 - 13 75 150 SOP-8
PV606BA SMD N 1.8 30 20 2.5 7.7 0.018 - 15 68 150 SOP-8
QM3002AN3 SMD N 1.67 30 20 2.5 7.5 0.018 6.1 14.4 77 150 DFN3X3
QM3002ANA SMD N 1.67 30 20 2.5 7 0.02 6.1 14.4 77 150 DFN2X2
QM3002G SMD N 1.5 30 20 2.5 5.8 0.028 6 7.8 81 150 SOT-223
QM3002J SMD N 1.5 30 20 2.5 5.8 0.028 6 7.8 81 150 SOT-89
QM3002N3 SMD N 1.67 30 20 2.5 7.4 0.018 6.2 7.6 80 150 DFN3X3
QM3002S SMD N 1.5 30 20 2.5 7.3 0.018 6 7.8 80 150 SOP-8
QM4002S SMD N 2.5 40 20 2.5 7.2 0.026 5.5 2.2 76 150 SOP-8
RF4E070GN SMD N 2 30 20 2.5 7 0.0214 4.8 4 75 150 DFN2020-8S
RF4E080GN SMD N 2 30 20 2.5 8 0.0176 5.8 3.6 89 150 DFN2020-8S
RQ3E070BN SMD N 2 30 20 2.5 7 0.027 8.9 8 50 150 HSMT8
RQ3E080BN SMD N 2 30 20 2.5 8 0.0152 14.5 20 90 150 HSMT8
RQ3E080GN SMD N 2 30 20 2.5 8 0.0167 5.8 3.6 89 150 HSMT8
RQ3G100GN SMD N 2 40 20 2.5 10 0.0143 8.4 4.2 100 150 HSMT8
RU30E7H SMD N 2.5 30 20 2.5 7.8 0.02 - 7 85 150 SOP-8
SI3424CDV SMD N 2 30 20 2.5 7.2 0.026 - 12 92 150 TSOP-6
SI4288DY SMD N 2 40 20 2.5 7.4 0.02 - 9 100 150 SO-8
SIR836DP SMD N 3.9 40 20 2.5 10.6 0.019 11.8 19 100 150 SO-8
SMM2348ES SMD N 3 30 20 2.5 8 0.024 7.95 8 100 175 SOT-23
SQ2348ES SMD N 3 30 20 2.5 8 0.024 7.95 8 100 175 TO-236