Транзистор SID10N30-600I
SID10N30-600I - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SID10N30-600I можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM10N30-600I |
PTH |
N |
50 |
300 |
20 |
1 |
7.5 |
0.6 |
19 |
60 |
- |
175 |
TO-251 |
| AOD468 |
SMD |
N |
150 |
300 |
30 |
4.5 |
11.5 |
0.42 |
- |
31 |
90 |
175 |
TO-252 |
| AOI468 |
PTH |
N |
150 |
300 |
30 |
4.5 |
11.5 |
0.42 |
- |
31 |
90 |
175 |
TO-251A |
| FDH27N50 |
PTH |
N |
450 |
500 |
30 |
4 |
27 |
0.19 |
- |
54 |
409 |
175 |
TO-247 |
| IRFSL11N50APBF |
PTH |
N |
190 |
500 |
30 |
4 |
11 |
0.55 |
51 |
34 |
208 |
175 |
TO-262 |
| SFF20N60B |
SMD |
N |
250 |
600 |
20 |
4.5 |
20 |
0.35 |
150 |
30 |
420 |
175 |
MILPACK2 |
| SFF20N60N |
PTH |
N |
150 |
600 |
20 |
4.5 |
20 |
0.4 |
- |
30 |
420 |
175 |
TO-258 |
| SFF20N60P |
PTH |
N |
150 |
600 |
20 |
4.5 |
20 |
0.4 |
- |
30 |
420 |
175 |
TO-259 |
| SFF24N50B |
SMD |
N |
250 |
500 |
20 |
4 |
24 |
0.25 |
- |
33 |
450 |
175 |
MILPACK2 |
| SIHFSL11N50A |
PTH |
N |
190 |
500 |
30 |
4 |
11 |
0.55 |
51 |
34 |
208 |
175 |
TO-262 |
| SQM18N33-160H |
SMD |
N |
375 |
330 |
30 |
5 |
31 |
0.16 |
71 |
35 |
140 |
175 |
TO-263 |
| STB18NF30 |
SMD |
N |
150 |
330 |
20 |
4 |
18 |
0.18 |
44 |
18 |
220 |
175 |
D2PAK |
| STD10NF30 |
SMD |
N |
103 |
300 |
20 |
4 |
10 |
0.33 |
23 |
9.5 |
110 |
175 |
DPAK |