Справочник электронных компонентов

Транзистор SIHFP150

SIHFP150 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247AC

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 230 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 41 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.055 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 140 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 120 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1100 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SIHFP150 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BUK7Y12-100E	SMD	N	238	100	20	4	85	0.012	68	18	349	175	LFPAK56
FDI2532	PTH	N	310	150	20	4	79	0.016	107	30	615	175	TO-262AB
IRF3610SPBF	SMD	N	333	100	20	4	103	0.0116	100	55	690	175	TO-263
IRFP150PBF	PTH	N	230	100	20	4	41	0.055	140	120	1100	175	TO-247AC
KDB2532	SMD	N	310	150	20	4	79	0.016	82	30	615	175	TO-263
PSMN013-100YSE	SMD	N	238	100	20	4	82	0.013	75	23	265	175	LFPAK
SM1F01NF	PTH	N	300	150	30	4	80	0.016	110	18	600	175	TO-220
SM2A01NSFP	PTH	N	300	200	25	4	65	0.028	110	16	600	175	TO-220FP
STB60NF10-1	PTH	N	300	100	20	4	80	0.023	104	56	470	175	I2PAK
STB60NF10T4	SMD	N	300	100	20	4	80	0.023	104	56	470	175	D2PAK
STB80NF10T4	SMD	N	300	100	20	4	80	0.015	135	80	700	175	D2PAK