Справочник электронных компонентов

Транзистор SM2608NSC

SM2608NSC - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор SM2608NSC можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AO4266 SMD N 3.1 60 20 2.5 10 0.015 - 2.5 123 150 SO-8
AO4306 SMD N 3.1 30 20 2.5 13 0.0115 - 9 125 150 SOP-8
AO4406A SMD N 3.1 30 20 2.5 13 0.0115 - 9 125 150 SO-8
AO4468 SMD N 3.1 30 20 2.4 10.5 0.017 - 3.5 110 150 SO-8
AON3414 SMD N 3.1 30 20 2.4 10.5 0.017 - 7.5 105 150 DFN3X3
AP4438GM-HF SMD N 2.5 30 20 - 11.8 0.0115 - 6 125 150 SO-8
AP4438GYT-HF SMD N 3.57 30 20 3 13.7 0.012 - 5 125 150 PMPAK3X3
AP4800CGM-HF SMD N 2.5 30 20 - 10.4 0.014 - 7 120 150 SO-8
AP9404GM-HF SMD N 2.5 30 20 - 12 0.012 - 7 120 150 SO-8
AP9470GM-HF SMD N 2.5 40 20 - 10.2 0.0135 - 7.5 120 150 SO-8
CSD17579Q3A SMD N 3.2 30 20 1.9 11 0.0102 5.3 5 93 150 SON3.3X3.3
CSD17579Q5A SMD N 3.1 30 20 2 14 0.0097 5.4 7 95 150 SON5X6
MDV1527URH SMD N 3.4 30 20 2.7 11 0.0159 - 3.2 98 150 PDFN33
MMN4418 SMD N 3 30 25 3 11.5 0.017 6.75 3.44 125.41 150 SO-8
MTN4800V8 SMD N 8 30 20 - 18 0.014 - 5 61 150 DFN3X3
QM4004S SMD N 3.47 40 20 2.5 13 0.012 10.7 3.4 120 150 SOP-8
RJK03E3DNS SMD N 10 30 20 - 14 0.0116 - 3.8 108 150 HWSON8
RQ3E080GN SMD N 2 30 20 2.5 8 0.0167 5.8 3.6 89 150 HSMT8
RQ3E100GN SMD N 2 30 20 2.5 10 0.0117 7.9 4.3 120 150 HSMT8
RQ3G100GN SMD N 2 40 20 2.5 10 0.0143 8.4 4.2 100 150 HSMT8
RS1E130GN SMD N 3 30 20 2.5 13 0.0117 7.9 4.3 120 150 HSOP8
SM2202NSQE SMD N 1.66 30 20 - 8.4 0.0155 - 8 100 150 DFN2X2-6
SM2202NSQG SMD N 1.66 30 20 - 12 0.0155 - 8 100 150 DFN2X2-6