Справочник электронных компонентов

Транзистор STP80NF10

STP80NF10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор STP80NF10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB410L SMD N 333 100 25 4 150 0.0062 107 22 594 175 TO-263
AOT410L PTH N 333 100 25 4 150 0.0065 107 22 594 175 TO-220
AOW410 PTH N 333 100 25 4 150 0.0065 107 22 594 175 TO-262
FDB035N10A SMD N 333 100 20 4 125 0.0035 89 - - 175 TO-263
FDB075N15A SMD N 333 150 20 4 92 0.0075 77 - - 175 TO-263
FDB3632 SMD N 310 100 20 4 80 0.009 84 - - 175 TO-263
FDBL0630N150 SMD N 500 150 20 4 169 0.005 70 - - 175 H-PSOF8L
FDH055N15A PTH N 429 150 20 4 118 0.0059 92 - - 175 TO-247,TO-3P,TO-3PF
FDH3632 PTH N 310 100 20 4 80 0.009 84 - - 175 TO-247,TO-3P,TO-3PF
FDI3632 PTH N 310 100 20 4 80 0.009 84 - - 175 TO-262
FDP036N10A PTH N 333 100 20 4 125 0.0036 89 - - 175 TO-220
FDP075N15A PTH N 333 150 20 4 120 0.0075 100 - - 175 TO-220
FDP3632 PTH N 310 100 20 4 80 0.009 110 - - 175 TO-220
IRF3610S SMD N 333 100 20 4 103 0.0116 100 - - 175 D2PAK
IRF3610SPBF SMD N 333 100 20 4 103 0.0116 100 55 690 175 TO-263
KDB3632 SMD N 310 100 20 4 80 0.009 84 39 820 175 TO-263
RU1H130Q PTH N 312 100 25 4 130 0.009 130 86 630 175 TO-247
RU1H130R PTH N 300 100 25 4 130 0.009 130 86 630 175 TO-220
RU1H130S SMD N 300 100 25 4 130 0.009 130 86 630 175 TO-263
SM1108NSF PTH N 300 100 25 4 120 0.0074 110 20 900 175 TO-220
STB120N10F4 SMD N 300 100 20 4 120 0.01 131 116 568 175 D2PAK
STB80NF10T4 SMD N 300 100 20 4 80 0.015 135 80 700 175 D2PAK
STP180N10F3 PTH N 315 100 20 4 120 0.0051 114.6 - - 175 TO-220
SUM110N10-09 SMD N 375 100 20 4 110 0.0095 110 125 750 175 TO-263