Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4

Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Транзистор TSM3N80CI полевой MOSFET, его характеристики

Справочник электронных компонентов

Транзистор TSM3N80CI

TSM3N80CI - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ITO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 32 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 36 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 65 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор TSM3N80CI можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
TMD3N80G	SMD	N	94	800	30	4	3	4.2	19	36	65	150	DPAK
TMP3N80	PTH	N	94	800	30	4	3	4.2	19	36	65	150	TO-220
TMPF3N80	PTH	N	32	800	30	4	3	4.2	19	36	65	150	TO-220F
TMU3N80G	PTH	N	94	800	30	4	3	4.2	19	36	65	150	IPAK
TSM3N80CH	PTH	N	94	800	30	4	3	4.2	19	36	65	150	TO-251
TSM3N80CP	SMD	N	94	800	30	4	3	4.2	19	36	65	150	TO-252
TSM3N80CZ	PTH	N	94	800	30	4	3	4.2	19	36	65	150	TO-220