Справочник электронных компонентов

Транзистор UTT80N05

UTT80N05 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор UTT80N05 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB262L SMD N 333 60 20 3.2 140 0.0028 95 22 1040 175 TO-263
AOB264L SMD N 333 60 20 3.2 140 0.003 78 7 840 175 TO-263
AOB280L SMD N 333 80 20 3.4 140 0.0022 - 23 1315 175 TO-263
AOB466L SMD N 333 60 25 5 180 0.0036 108 29 1076 175 TO-263
AOB480L SMD N 333 80 25 4 180 0.0042 116 33 810 175 TO-263
AOT262L PTH N 333 60 20 3.2 140 0.003 95 22 1040 175 TO-220
AOT264L PTH N 333 60 20 3.2 140 0.0032 78 7 840 175 TO-220
AOT280L PTH N 333 80 20 3.4 140 0.0027 - 23 1315 175 TO-220
AOT466L PTH N 333 60 25 5 180 0.0039 108 29 1076 175 TO-220
AOT480L PTH N 333 80 25 4 180 0.0045 116 33 810 175 TO-220
AOW480 PTH N 333 80 25 4 180 0.0045 116 33 810 175 TO-262
RU190N08Q PTH N 400 80 25 4 190 0.0048 155 22 1100 175 TO-247
RU190N08R PTH N 400 80 25 4 190 0.0048 155 22 1100 175 TO-220
RU190N08S SMD N 400 80 25 4 190 0.0048 155 22 1100 175 TO-263
RU55200Q PTH N 326 55 25 4 200 0.004 160 23 1100 175 TO-247
SM1A00NSF PTH N 312 100 25 - 180 0.0042 - 33 980 150 TO-220
SM1A00NSG SMD N 312 100 25 - 180 0.004 - 33 980 150 TO-263
SM1A00NSW PTH N 312 100 25 - 180 0.0042 - 33 980 150 TO-247
SQM110N06-04L SMD N 375 60 20 2.5 120 0.0035 184 23 935 175 TO-263
SQM110N08-05 SMD N 375 75 20 3.5 120 0.0048 141 31 865 175 TO-263
SQM120N06-04L SMD N 375 60 20 2.5 120 0.0035 184 23 935 175 TO-263
SQM120N06-3M5L SMD N 375 60 20 2.5 120 0.0035 220 23 1112 175 TO-263
SQM120N08-05 SMD N 375 75 20 4 120 0.0048 141 31 865 175 TO-263
SSF1006H PTH N 500 100 20 - 200 0.005 256 27 690 175 TO-247
SSFM8005 PTH N 376 80 25 - 180 0.005 96 12.2 670 175 TO-220AB