Транзистор AP9997GH-HF полевой MOSFET, его характеристики

AP9997GH-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 34.7 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.12 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 65 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP9997GH-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AFN1530	PTH	N	75	100	20	2.5	15	0.115	10	8	50	150	TO-220
AOB256L	SMD	N	83	150	20	2.8	19	0.085	-	5	61.5	175	TO-263
AOD256	SMD	N	83	150	20	2.8	19	0.085	-	5	61.5	175	TO-252
AP9997GJ-HF	PTH	N	34.7	100	20	-	11	0.12	-	17	65	150	TO-251
AP9997GP	PTH	N	34.7	100	20	3	11	0.12	-	17	65	150	TO-220
AP9997GP-HF	PTH	N	34.7	100	20	-	11	0.12	-	17	65	150	TO-220
FTK1090	PTH	N	42	100	20	-	15	0.09	-	9.5	59	175	TO-220AB
HY18N20D	SMD	N	48	200	30	3	18	0.092	-	8.6	55	150	TO-252
HY18N20T	PTH	N	57	200	30	3	18	0.092	-	8.6	55	175	TO-220AB
IPB65R065C7	SMD	N	171	650	20	4	33	0.065	-	14	48	150	TO-263
IPB65R095C7	SMD	N	128	650	20	4	24	0.095	-	12	33	150	TO-263
IPL65R070C7	SMD	N	169	650	20	4	28	0.07	-	6	48	150	ThinPAK8X8
IPL65R099C7	SMD	N	128	650	20	4	21	0.099	-	5	33	150	ThinPAK8X8
IPP60R099C7	PTH	N	110	600	20	4	22	0.099	-	8	33	150	TO-220
IPP65R065C7	PTH	N	171	650	20	4	33	0.065	-	14	48	150	TO-220
IPP65R095C7	PTH	N	128	650	20	4	24	0.095	-	12	33	150	TO-220
IPW60R099C7	PTH	N	110	600	20	4	22	0.099	-	8	33	150	TO-247
IPW65R065C7	PTH	N	171	650	20	4	33	0.065	-	14	48	150	TO-247
IPW65R095C7	PTH	N	128	650	20	4	24	0.095	-	12	33	150	TO-247
IPZ60R099C7	PTH	N	110	600	20	4	22	0.099	-	6	33	150	TO-247-4
IPZ65R065C7	PTH	N	171	650	20	4	33	0.065	-	7	48	150	TO-247-4
IPZ65R095C7	PTH	N	128	650	20	4	24	0.095	-	8	33	150	TO-247-4
MDD1903RH	SMD	N	36.8	100	20	3	12.8	0.105	-	10.6	60	150	TO-252
MDIS1903TH	PTH	N	36.8	100	20	3	12.8	0.105	-	10.6	60	150	TO-251VS
MTDA0N10J3	SMD	N	60	100	20	-	16	0.08	-	15	55	175	TO-252
MTEA0N10J3	SMD	N	60	100	20	-	16	0.083	-	15	54	175	TO-252
MTN3484J3	SMD	N	44	100	20	-	16	0.1	-	7	61.3	150	TO-252
MTN3820F3	SMD	N	56	100	20	-	26	0.064	-	9.5	62.3	150	TO-263
MTN3820J3	SMD	N	46	100	20	-	24	0.064	-	9	62.3	150	TO-252
PA110BDA	SMD	N	50	100	20	-	15	0.105	-	15	52	150	TO-252
QM0004D	SMD	N	34.7	100	20	2.5	12	0.112	26.2	8.2	60	150	TO-252
QM0004U	PTH	N	34.7	100	20	2.5	12	0.112	26.2	8.2	60	150	TO-251
SM1A23NSU	SMD	N	44	100	20	-	15	0.1	-	6	45	150	TO-252
SM1A24NSU	SMD	N	36	100	20	-	12	0.12	-	7	36	150	TO-252
SM1A28NSUB	PTH	N	50	100	30	-	17	0.076	-	5	60	150	TO-251
SM1A30NSU	SMD	N	50	100	20	-	18	0.07	-	7	60	150	TO-252
SPN11T10	SMD и PTH	N	40	100	20	3	16	0.12	13	17	65	150	TO-252,TO-251