Справочник электронных компонентов

Транзистор G1006

G1006 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор G1006 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
11N10C SMD N 28 100 20 - 11 0.095 - 3 120 175 TO-252
2SK3484 PTH N 30 100 20 - 16 0.1 - 5 110 150 TO-251
2SK3484-Z SMD N 30 100 20 - 16 0.1 - 5 110 150 TO-252
2SK3793 PTH N 20 100 20 - 12 0.089 - 5 110 150 TO-220
2SK3984-ZK SMD N 30 100 20 - 18 0.085 - 6 120 150 TO-252
AO4454 SMD N 3.1 100 25 4 6.5 0.036 - 7.2 110 150 SO-8
AO4482 SMD N 3.1 100 20 2.7 6 0.037 - 7 100 150 SO-8
AOD4286 SMD N 30 100 20 2.9 14 0.068 - 2.5 30 175 TO-252
AOI4286 PTH N 30 100 20 2.9 14 0.068 - 2.5 30 175 TO-251A
AON6484 SMD N 25 100 20 2.7 12 0.079 - 2.5 55 150 DFN5X6
AON7296 SMD N 20.8 100 20 2.8 12.5 0.066 - 2 32 150 DFN3X3
AOTF2916L PTH N 23.5 100 20 2.7 17 0.034 - 3.5 68 175 TO-220F
FTK10N10 SMD N 20 100 20 - 10 0.14 - 7.4 120 150 DPAK
MTBA5N10V8 SMD N 18 100 20 - 7 0.133 - 4.5 30 150 DFN3X3
MTD30N10Q8 SMD N 3.1 100 20 - 6 0.033 - 7 104 150 SOP-8
PNM23T100V6 SMD N 3 100 20 2.5 6 0.14 15.5 7.4 120 150 SOT-223
PNMDP100V10 SMD N 30 100 20 2.5 9.6 0.14 15.5 7.4 120 150 TO-252
SM1A24NSKP SMD N 26 100 20 - 10 0.126 - 7 36 150 DFN5X6-8