Справочник электронных компонентов

Транзистор IRH9150

IRH9150 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 22 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.075 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 150 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1100 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRH9150 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRF5210LPBF	PTH	P	170	100	20	4	38	0.06	150	63	800	150	TO-262
IRF5210PBF	PTH	P	200	100	20	4	40	0.06	180	86	790	175	TO-220AB
IRF5210SPBF	SMD	P	170	100	20	4	38	0.06	150	63	800	150	TO-263
IRFN5210	SMD	P	150	100	20	4	34	0.06	180	86	790	175	SMD1
RU1HP55R	PTH	P	176	100	25	4	55	0.04	155	87	535	175	TO-220
RU1HP60R	PTH	P	188	100	25	4	60	0.025	164	83	615	175	TO-220