Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFH67N10

IXFH67N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IXFH67N10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
FQA90N10V2 PTH N 330 100 30 4 105 0.01 147 492 1180 175 TO-3P
IXFH75N10 PTH N 300 100 20 4 75 0.02 180 - 4500 150 TO-247
IXFR80N10Q PTH N 310 100 20 4 76 0.015 180 70 1600 150 ISOPLUS247
RU120N15Q PTH N 326 150 25 4 120 0.017 155 40 900 175 TO-247
RU120N15R PTH N 312 150 25 4 120 0.017 155 40 900 175 TO-220
RU190N10Q PTH N 312 100 25 4 190 0.008 155 42 1000 175 TO-247
RU190N10R PTH N 312 100 25 4 190 0.008 155 42 1000 175 TO-220
RU190N10S SMD N 312 100 25 4 190 0.008 155 42 1000 175 TO-263
RU1H190R PTH N 333 100 25 4 190 0.0065 158 38 940 175 TO-220
RU1H190S SMD N 333 100 25 4 190 0.0065 158 38 940 175 TO-263
SEF401002 PTH N 300 100 20 4 67 0.025 180 60 1300 150 TO-258AA
SM1108NSF PTH N 300 100 25 4 120 0.0074 110 20 900 175 TO-220
SML10B75F PTH N 300 100 20 4 75 0.025 155 22 1650 150 TO-247AD