Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTT50N30

IXTT50N30 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-268

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 400 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.065 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 165 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 360 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IXTT50N30 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOK60N30	PTH	N	658	300	30	-	60	0.056	88	222	593	150	TO-247
IXFH60N65X2	PTH	N	780	650	30	5.5	60	0.052	107	40	3867	150	TO-247
IXFH69N30P	PTH	N	500	300	20	5	69	0.049	156	200	-	150	TO-247
IXFH80N65X2	PTH	N	890	650	30	5.5	80	0.04	143	42	5510	150	TO-247
IXFT69N30P	SMD	N	500	300	20	5	69	0.049	156	200	-	150	TO-268
IXTH50N30	PTH	N	400	300	30	4	50	0.06	165	360	-	150	TO-247
IXTQ69N30P	PTH	N	500	300	20	5	69	0.049	156	330	-	150	TO-3P
IXTT69N30P	SMD	N	500	300	20	5	69	0.049	156	330	-	150	TO-268
TK62N60X	PTH	N	400	600	30	3.5	61.8	0.04	135	40	140	150	TO-247