Справочник электронных компонентов

Транзистор MSD2N60

MSD2N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор MSD2N60 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AP60WN2K3H SMD N 54.3 600 30 4 4 2.37 - 17 35 150 TO-252
AP60WN2K3I PTH N 31.2 600 30 4 4 2.37 - 17 35 150 TO-220F
AP60WN4K5H SMD N 31.2 600 30 4 2 4.5 - 8 19 150 TO-252
AP60WN4K5I PTH N 24 600 30 4 2 4.5 - 8 19 150 TO-220F
AP65WN2K3H SMD N 62.5 650 30 4 4 2.3 - 17 35 150 TO-252
AP65WN2K3I PTH N 31.2 650 30 4 4 2.29 - 17 35 150 TO-220F
AP65WN2K3L PTH N 25 650 30 4 4 2.29 - 17 35 150 TO-126F
AP70WN2K8H SMD N 50 700 30 4 4 2.8 - 17 34 150 TO-252
AP70WN2K8I PTH N 31.2 700 30 4 4 2.8 - 17 34 150 TO-220F
AP70WN2K8L PTH N 25 700 30 4 4 2.8 - 17 34 150 TO-126F
CS2N60A3H PTH N 35 600 30 4 2 4.5 8.5 5 31 150 TO-251
CS2N60A4H SMD N 35 600 30 4 2 4.5 8.5 5 31 150 TO-252
CS2N60A4T SMD N 35 600 30 4 2 4.5 8 5 33 150 TO-252
CS2N60A7H PTH N 24 600 30 4 2 4.5 8.5 5 31 150 TO-126F
CS2N60FA9H PTH N 24 600 30 4 2 4.5 8.5 5 31 150 TO-220F
CS2N65A3 PTH N 35 650 30 4 2 4.5 9 6 31 150 TO-251
CS2N65A3HY PTH N 35 650 30 4 2 4.5 9 6 31 150 TO-251
CS2N65A4HY SMD N 35 650 30 4 2 4.5 9 6 31 150 TO-252
MMIS70H900QTH PTH N 28 700 30 4 3.2 1.4 8 19 19 150 TO-251