Справочник электронных компонентов

Транзистор PHB4ND40E

PHB4ND40E - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор PHB4ND40E можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB11S65 SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB11S65L SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB7S65 SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOB7S65L SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOD7S65 SMD N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-252
AOI7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251A
AOT11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT11S65L PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOU7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251
AOW11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-262
AOW7S65 PTH N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-262
AP50WN1K0H SMD N 83.3 500 30 4 7 1.03 - 22 45 150 TO-252
AP60WN1K2H SMD N 89.2 600 30 4 8 1.2 - 20 50 150 TO-252
AP60WN1K2J PTH N 89.2 600 30 4 8 1.2 - 20 50 150 TO-251
AP60WN1K5H SMD N 83.3 600 30 4 6 1.55 - 24 44 150 TO-252
AP60WN1K5J PTH N 83.3 600 30 4 6 1.55 - 24 44 150 TO-251
AP65WN1K5S SMD N 83.3 650 30 4 6 1.5 - 22 44 150 TO-263
AP70WN1K5P PTH N 89.2 700 30 4 6 1.5 - 23 45 150 TO-220
SIHB12N50E SMD N 114 500 30 4 10.5 0.38 25 16 52 150 TO-263
SIHD12N50E SMD N 114 500 30 4 10.5 0.38 25 16 52 150 TO-252
SIHP12N50E PTH N 114 500 30 4 10.5 0.38 25 16 52 150 TO-220AB
STD12N50M2 SMD N 85 500 30 4 10 0.38 15 10.5 33 150 DPAK