Справочник электронных компонентов

Транзистор PJD3NA50

PJD3NA50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор PJD3NA50 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB7S65 SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOB7S65L SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOD7S65 SMD N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-252
AOI7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251A
AOTF7S65 PTH N 35 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-220F
AOU7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251
AOW7S65 PTH N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-262
AP50WN1K5H SMD N 50 500 30 4 5 1.55 - 17 34 150 TO-252
AP50WN1K5P PTH N 50 500 30 4 5 1.55 - 17 34 150 TO-220
AP60WN2K1H SMD N 50 600 30 4 5 2.07 - 19 37 150 TO-252
AP60WN2K1J PTH N 50 600 30 4 5 2.07 - 19 37 150 TO-251
AP60WN2K3H SMD N 54.3 600 30 4 4 2.37 - 17 35 150 TO-252
AP65WN2K3H SMD N 62.5 650 30 4 4 2.3 - 17 35 150 TO-252
AP70WN2K8H SMD N 50 700 30 4 4 2.8 - 17 34 150 TO-252
CS3N50B3HY PTH N 35 500 30 4 3 3 8.5 11 37 150 TO-251
CS3N50B4HY SMD N 35 500 30 4 3 3 8.5 11 37 150 TO-252
CS3N60A3 PTH N 55 600 30 4 3 3.2 11 7 38 150 TO-251
PJU3NA50 PTH N 34 500 30 4 3 3.2 - 20.6 41.3 150 TO-251AB
SIHD6N62E SMD N 78 620 30 4 6 0.9 17 10 36 150 TO-252
SIHU6N62E PTH N 78 620 30 4 6 0.9 17 10 36 150 TO-251