Транзистор PJU2NA60
PJU2NA60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 34 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 39.7 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PJU2NA60 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN02N60T220T |
PTH |
N |
100 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.2 |
5.67 |
23.4 |
35.7 |
150 |
TO-220 |
| AFN02N60T251T |
PTH |
N |
86 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.2 |
5.67 |
23.4 |
35.7 |
150 |
TO-251 |
| AP60WN2K1H |
SMD |
N |
50 |
600 |
30 |
4 |
5 |
2.07 |
- |
19 |
37 |
150 |
TO-252 |
| AP60WN2K1J |
PTH |
N |
50 |
600 |
30 |
4 |
5 |
2.07 |
- |
19 |
37 |
150 |
TO-251 |
| AP60WN2K3H |
SMD |
N |
54.3 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.37 |
- |
17 |
35 |
150 |
TO-252 |
| AP65WN2K3H |
SMD |
N |
62.5 |
650 |
30 |
4 |
4 |
2.3 |
- |
17 |
35 |
150 |
TO-252 |
| AP70WN2K8H |
SMD |
N |
50 |
700 |
30 |
4 |
4 |
2.8 |
- |
17 |
34 |
150 |
TO-252 |
| CS3N60A3 |
PTH |
N |
55 |
600 |
30 |
4 |
3 |
3.2 |
11 |
7 |
38 |
150 |
TO-251 |
| CS3N65A4H-G |
SMD |
N |
55 |
650 |
30 |
4 |
3 |
3.5 |
11 |
6 |
39 |
150 |
TO-252 |
| CS3N70A3H-G |
PTH |
N |
55 |
700 |
30 |
4 |
3 |
4.2 |
11 |
6 |
39 |
150 |
TO-251 |
| PJD2NA60 |
SMD |
N |
34 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.4 |
- |
24 |
39.7 |
150 |
TO-252 |
| SIHD6N62E |
SMD |
N |
78 |
620 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17 |
10 |
36 |
150 |
TO-252 |
| SIHU6N62E |
PTH |
N |
78 |
620 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17 |
10 |
36 |
150 |
TO-251 |