Транзистор APQ04SN60CF полевой MOSFET, его характеристики

APQ04SN60CF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 33 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.3 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 36 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 67 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор APQ04SN60CF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB7S65	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOB7S65L	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOD7S65	SMD	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-252
AOI7S65	PTH	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-251A
AOTF7S65	PTH	N	35	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-220F
AOU7S65	PTH	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-251
AOW7S65	PTH	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-262
AP60WN1K2H	SMD	N	89.2	600	30	4	8	1.2	-	20	50	150	TO-252
AP60WN1K2IN	PTH	N	33.7	600	30	4	8	1.2	-	20	50	150	TO-220FNL
AP60WN1K2J	PTH	N	89.2	600	30	4	8	1.2	-	20	50	150	TO-251
AP60WN1K5H	SMD	N	83.3	600	30	4	6	1.55	-	24	44	150	TO-252
AP60WN1K5I	PTH	N	32.8	600	30	4	6	1.55	-	24	44	150	TO-220F
AP60WN1K5J	PTH	N	83.3	600	30	4	6	1.55	-	24	44	150	TO-251
AP60WN2K1H	SMD	N	50	600	30	4	5	2.07	-	19	37	150	TO-252
AP60WN2K1J	PTH	N	50	600	30	4	5	2.07	-	19	37	150	TO-251
AP65WN1K0I	PTH	N	34.7	650	30	4	8	1	-	17	59	150	TO-220F
AP65WN1K5I	PTH	N	32.9	650	30	4	6	1.5	-	22	44	150	TO-220F
AP65WN1K5S	SMD	N	83.3	650	30	4	6	1.5	-	22	44	150	TO-263
AP65WN2K3H	SMD	N	62.5	650	30	4	4	2.3	-	17	35	150	TO-252
AP70WN1K5I	PTH	N	34.7	700	30	4	6	1.5	-	23	45	150	TO-220F
AP70WN1K5P	PTH	N	89.2	700	30	4	6	1.5	-	23	45	150	TO-220
APQ04SN60CA	PTH	N	100	600	30	4	4	2.3	-	36	67	150	TO-251
APQ04SN60CB	SMD	N	100	600	30	4	4	2.3	-	36	67	150	TO-252
APQ04SN60CE	SMD	N	100	600	30	4	4	2.3	-	36	67	150	TO-263
APQ04SN60CH	PTH	N	100	600	30	4	4	2.3	-	36	67	150	TO-220
CS4N60A3HD	PTH	N	75	600	30	4	4	2.3	14.5	6.5	55	150	TO-251
CS4N60A4HD	SMD	N	75	600	30	4	4	2.3	14.5	6.5	55	150	TO-252
CS4N60A8HD	PTH	N	75	600	30	4	4	2.3	14.5	6.5	55	150	TO-220AB
CS4N60ARRD	PTH	N	75	600	30	4	4	2.3	14.5	6.5	55	150	TO-262
CS4N60F	PTH	N	50	600	30	4	4	2	-	35	60	150	TO-220F
MDF4N65BTH	PTH	N	35	650	30	4	4	2.2	-	22	61	150	TO-220F
MMD70R600PRH	SMD	N	71	700	30	4	7.3	0.6	23	27.6	34.9	150	TO-252
SIHB6N65E	SMD	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-263
SIHD6N62E	SMD	N	78	620	30	4	6	0.9	17	10	36	150	TO-252
SIHD6N65E	SMD	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-252
SIHP6N65E	PTH	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-220AB
SIHU6N62E	PTH	N	78	620	30	4	6	0.9	17	10	36	150	TO-251
SIHU6N65E	PTH	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-251