Справочник электронных компонентов

Транзистор BSC123N10LSG

BSC123N10LSG - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор BSC123N10LSG можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB2918L SMD N 267 100 20 3.9 90 0.007 38 24 1530 175 TO-263
AOT2918L PTH N 267 100 20 3.9 90 0.007 38 24 1530 175 TO-220
BSC060N10NS3G SMD N 125 100 - - 90 0.006 51 - - - SuperSOT-8
BSC070N10NS3G SMD N 114 100 - - 90 0.007 42 - - - SuperSOT-8
BSC100N10NSFG SMD N 156 100 - - 90 0.01 33 - - - SuperSOT-8
BSC105N10LSFG SMD N 156 100 - - 90 0.0105 40 - - - SuperSOT-8
BSC118N10NSG SMD N 114 100 - - 71 0.0118 42 - - - SuperSOT-8
CSD19531KCS PTH N 214 100 20 3.3 100 0.0077 38 7.2 560 175 TO-220
CSD19532KTT SMD N 250 100 20 3.2 136 0.0056 44 3 674 175 D2PAK
CSD19533KCS PTH N 188 100 20 3.4 86 0.0105 27 5 395 175 TO-220
FDMS86150 SMD N 156 100 20 4 80 0.00485 44 - - 150 Power56
FDP085N10A PTH N 188 100 20 4 96 0.0085 40 - - 175 TO-220
IPB083N10N3G SMD N 125 100 - - 80 0.0083 42 - - - D2PAK
IPB108N15N3G SMD N 214 150 - - 83 0.0108 41 - - - D2PAK
IPD068N10N3G SMD N 150 100 - - 90 0.0068 51 - - - DPAK
IPD082N10N3G SMD N 125 100 - - 80 0.0082 42 - - - DPAK
IPD110N12N3G SMD N 136 120 - - 75 0.011 49 - - - DPAK
IPI072N10N3G PTH N 150 100 - - 80 0.0072 51 - - - I2PAK
IPI086N10N3G PTH N 125 100 - - 80 0.0086 42 - - - I2PAK
IPI111N15N3G PTH N 214 150 - - 83 0.0111 41 - - - I2PAK
IPP072N10N3G PTH N 150 100 - - 80 0.0072 51 - - - TO-220
IPP086N10N3G PTH N 125 100 - - 80 0.0086 42 - - - TO-220
IPP111N15N3G PTH N 214 150 - - 83 0.0111 41 - - - TO-220
IPP114N12N3G PTH N 136 120 - - 75 0.0114 49 - - - TO-220
IPS110N12N3G PTH N 136 120 - - 75 0.011 49 - - - IPAK-SL
IPS118N10NG PTH N 125 100 - - 75 0.0118 49 - - - IPAK-SL