Справочник электронных компонентов

Транзистор RSD050N10

RSD050N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор RSD050N10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFN1530 PTH N 75 100 20 2.5 15 0.115 10 8 50 150 TO-220
AFN9997 SMD N 40 100 20 3 8 0.12 10 8 50 150 TO-252
AOD4286 SMD N 30 100 20 2.9 14 0.068 - 2.5 30 175 TO-252
AOI4286 PTH N 30 100 20 2.9 14 0.068 - 2.5 30 175 TO-251A
AON7296 SMD N 20.8 100 20 2.8 12.5 0.066 - 2 32 150 DFN3X3
AP10TN135H SMD N 20.8 100 20 3 8.1 0.135 - 8 27 150 TO-252
AP10TN135J PTH N 20.8 100 20 3 8.1 0.135 - 8 27 150 TO-251
AP10TN135JB PTH N 20.8 100 20 3 8.1 0.135 - 8 27 150 TO-251S
AP10TN135P PTH N 20.8 100 20 3 8.1 0.135 - 8 27 150 TO-220
IPA65R065C7 PTH N 34 650 20 4 15 0.065 - 14 48 150 TO-220F
IPA65R095C7 PTH N 34 650 20 4 12 0.095 - 12 33 150 TO-220F
IPA65R125C7 PTH N 32 650 20 4 10 0.125 - 15 26 150 TO-220F
IPB65R095C7 SMD N 128 650 20 4 24 0.095 - 12 33 150 TO-263
IPB65R125C7 SMD N 101 650 20 4 18 0.125 - 15 26 150 TO-263
IPL65R099C7 SMD N 128 650 20 4 21 0.099 - 5 33 150 ThinPAK8X8
IPL65R130C7 SMD N 102 650 20 4 15 0.13 - 5.3 26 150 ThinPAK8X8
IPP60R099C7 PTH N 110 600 20 4 22 0.099 - 8 33 150 TO-220
IPP65R095C7 PTH N 128 650 20 4 24 0.095 - 12 33 150 TO-220
IPP65R125C7 PTH N 101 650 20 4 18 0.125 - 15 26 150 TO-220
IPW60R099C7 PTH N 110 600 20 4 22 0.099 - 8 33 150 TO-247
IPW65R095C7 PTH N 128 650 20 4 24 0.095 - 12 33 150 TO-247
IPW65R125C7 PTH N 101 650 20 4 18 0.125 - 15 26 150 TO-247
IPZ60R099C7 PTH N 110 600 20 4 22 0.099 - 6 33 150 TO-247-4
IPZ65R095C7 PTH N 128 650 20 4 24 0.095 - 8 33 150 TO-247-4
MTBA5N10J3 SMD N 35 100 30 - 10 0.13 - 4.5 31 150 TO-252
MTBA5N10V8 SMD N 18 100 20 - 7 0.133 - 4.5 30 150 DFN3X3
SM1A23NSU SMD N 44 100 20 - 15 0.1 - 6 45 150 TO-252
SM1A24NSKP SMD N 26 100 20 - 10 0.126 - 7 36 150 DFN5X6-8
SM1A24NSU SMD N 36 100 20 - 12 0.12 - 7 36 150 TO-252