Справочник электронных компонентов

Транзистор BUZ907P

BUZ907P - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор BUZ907P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
BUZ907 PTH P 125 220 14 - 8 1.5 - - - 150 TO-3
BUZ907D PTH P 250 220 14 - 16 0.75 - - - 150 TO-3
BUZ907DP PTH P 250 220 14 - 16 0.75 - - - 150 TO-3PBL
BUZ908 PTH P 125 250 14 - 8 1.5 - - - 150 TO-3
BUZ908D PTH P 250 250 14 - 16 0.75 - - - 150 TO-3
BUZ908DP PTH P 250 250 14 - 16 0.75 - - - 150 TO-3PBL
BUZ908P PTH P 125 250 14 - 8 1.5 - - - 150 TO-247
CS11P40 PTH P 125 400 20 4 11 0.6 - - - 150 TO-257
FQA9P25 PTH P 150 250 30 5 10.5 0.62 29 - - 150 TO-3PN
IXTA10P50P SMD P 300 500 20 4 10 1 50 414 - 150 TO-263
IXTH10P50 PTH P 300 500 20 5 10 0.9 160 - 4700 150 TO-247
IXTH10P50P PTH P 300 500 20 4 10 1 50 414 - 150 TO-247
IXTH10P60 PTH P 300 600 20 5 10 1 135 500 - 150 TO-247
IXTH11P50 PTH P 300 500 20 5 11 0.75 145 - 4700 175 TO-247
IXTH16P60P PTH P 460 600 20 4.5 16 0.72 92 440 - 150 TO-247
IXTH20P50P PTH P 460 500 20 4 20 0.45 103 406 - 150 TO-247
IXTH8P50 PTH P 180 500 20 5 8 1.2 130 - 3400 150 TO-247
IXTK32P60P PTH P 890 600 20 4 32 0.35 196 480 - 150 TO-264
IXTN32P60P Модуль P 890 600 20 4 32 0.35 196 480 - 150 ISOTOP
IXTP10P50P PTH P 300 500 20 4 10 1 50 414 - 150 TO-220
IXTQ10P50P PTH P 300 500 20 4 10 1 50 414 - 150 TO-3P
IXTR16P60P PTH P 190 600 20 4.5 10 0.79 92 440 - 150 ISOPLUS247
IXTR20P50P PTH P 190 500 20 4.5 13 0.49 103 406 - 150 ISOPLUS247
IXTR32P60P PTH P 310 600 20 4 18 0.385 196 480 - 150 ISOPLUS247
IXTT10P50 SMD P 300 500 20 5 10 0.9 160 500 - 150 TO-268
IXTT10P60 SMD P 300 600 20 5 10 1 135 500 - 150 TO-268
IXTT11P50 SMD P 300 500 20 5 11 0.75 145 500 - 150 TO-268
IXTT16P60P SMD P 460 600 20 4.5 16 0.72 92 440 - 150 TO-268
IXTT20P50P SMD P 460 500 20 4 20 0.45 103 406 - 150 TO-268
IXTT8P50 SMD P 180 500 20 5 8 1.2 130 400 - 150 TO-268
IXTX32P60P PTH P 890 600 20 4 32 0.35 196 480 - 150 PLUS247