Справочник электронных компонентов

Транзистор IPI04CN10NG

IPI04CN10NG - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPI04CN10NG можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB290L SMD N 500 100 20 4.1 140 0.0032 90 24 2780 175 TO-263
AOT290L PTH N 500 100 20 4.1 140 0.0035 90 24 2780 175 TO-220
AUIRLS4030-7P SMD N 370 100 16 2.5 190 0.0039 93 - - 175 D2PAK
CSD19535KCS PTH N 300 100 20 3.4 150 0.0036 78 15 1160 175 TO-220
CSD19535KTT SMD N 300 100 20 3.4 197 0.0034 75 18 1160 175 D2PAK
CSD19536KCS PTH N 375 100 20 3.2 150 0.0027 118 14 1820 175 TO-220
CSD19536KTT SMD N 375 100 20 3.2 200 0.0024 118 8 1820 175 D2PAK
FDB035N10A SMD N 333 100 20 4 125 0.0035 89 - - 175 TO-263
FDP036N10A PTH N 333 100 20 4 125 0.0036 89 - - 175 TO-220
IPB025N10N3G SMD N 300 100 - - 180 0.0025 155 - - - D2PAK
IPB027N10N3G SMD N 300 100 - - 120 0.0027 155 - - - D2PAK
IPB036N12N3G SMD N 300 120 - - 180 0.0036 158 - - - D2PAK
IPB038N12N3G SMD N 300 120 - - 120 0.0038 158 - - - D2PAK
IPB04CN10NG SMD N 300 100 20 4 100 0.0039 158 78 1590 175 TO-263
IPI030N10N3G PTH N 300 100 - - 100 0.003 155 - - - I2PAK
IPI04CN10N PTH N 300 100 20 4 100 0.0039 158 78 1590 175 TO-262
IPP030N10N3G PTH N 300 100 - - 100 0.003 155 - - - TO-220
IPP04CN10N PTH N 300 100 20 4 100 0.0039 158 78 1590 175 TO-220
IPP04CN10NG PTH N 300 100 20 4 100 0.0039 158 - - 175 TO-220
IPT020N10N3 SMD N 375 100 20 3.5 300 0.002 156 58 2010 175 HSOF-8
IRLS4030-7P SMD N 370 100 16 2.5 190 0.0039 93 - - 175 D2PAK
IRLS4030-7PPBF SMD N 370 100 16 2.5 190 0.0039 140 160 680 175 TO-263-CA7
SQM120N10-3M8 SMD N 375 100 20 3.5 120 0.0038 125 110 3070 175 TO-263
TK160F10N1 SMD N 375 100 20 4 160 0.0024 121 22 3960 175 TO-220SM