Справочник электронных компонентов

Транзистор UTT25P10

UTT25P10 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор UTT25P10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
25P10 PTH P 120 100 20 - 30 0.05 - 80 790 175 TO-251
25P10G SMD P 120 100 20 - 30 0.05 - 80 790 175 TO-252
30P10A SMD и PTH P 120 100 20 - 30 0.045 - 80 790 175 TO-220,TO-251,TO-252
AM50P10-117P PTH P 300 100 20 1 42 0.117 84 32 403 150 TO-220AB
AM90P10-60B SMD P 300 100 20 1 55 0.066 82 32 403 175 TO-263
AM90P15-30P PTH P 300 150 20 1 52 0.075 138 55 557 175 TO-220AB
FX30SMJ-3 PTH P 150 150 20 2.3 30 0.1 - 99 674 150 TO-3P
FX50SMJ-2 PTH P 150 100 20 2.3 50 0.05 - 118 896 150 TO-3P
IRF5210LPBF PTH P 170 100 20 4 38 0.06 150 63 800 150 TO-262
IRF5210PBF PTH P 200 100 20 4 40 0.06 180 86 790 175 TO-220AB
IRF5210SPBF SMD P 170 100 20 4 38 0.06 150 63 800 150 TO-263
IRF5M5210 PTH P 125 100 20 4 34 0.07 180 150 824 150 TO-254AA
IRF5N5210 SMD P 125 100 20 4 31 0.06 215 150 830 150 SMD1
IRF6218L PTH P 250 150 20 5 27 0.15 71 70 370 175 TO-262
IRF6218PBF PTH P 250 150 20 5 27 0.15 71 70 370 175 TO-220AB
IRF6218SPBF SMD P 250 150 20 5 27 0.15 71 70 370 175 TO-263
IRF9150 PTH P 150 100 20 4 25 0.15 - 110 850 150 TO-3
IRFM5210 PTH P 125 100 20 4 34 0.07 180 86 790 150 TO-254AA
IRFN5210 SMD P 150 100 20 4 34 0.06 180 86 790 175 SMD1
RFH25P10 PTH P 150 100 20 4 25 0.15 - 165 1500 150 TO-218AC
RFK25P10 PTH P 150 100 20 4 25 0.15 - 165 1500 150 TO-204AE
RU1HP55R PTH P 176 100 25 4 55 0.04 155 87 535 175 TO-220
SFF25P20M PTH P 250 200 20 5 25 0.15 - 30 850 150 TO-254
SFF25P20S2I-01 SMD P 250 200 20 5 25 0.15 - 30 850 150 SMD2
SFF25P20S2I-02 SMD P 250 200 20 5 25 0.15 - 30 850 150 SMD2
SFF25P20S2I-03 SMD P 250 200 20 5 25 0.15 - 30 850 150 SMD2
SHD225452 PTH P 125 100 20 4 34 0.07 180 150 824 150 TO-254
STRH40P10 PTH P 176 100 20 4.5 34 0.075 162 31 635 150 TO-254AA