Справочник электронных компонентов

Транзистор IRHN9150

IRHN9150 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор IRHN9150 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AUIRF5210S SMD P 170 100 20 4 38 0.06 150 63 - 150 D2PAK
CS5210PBF PTH P 200 100 20 4 40 0.06 - - - 150 TO-257
CSTT90P10P PTH P 190 100 20 4 90 0.025 - - - 150 TO-258A
FQB34P10TM SMD P 155 100 25 4 33.5 0.06 85 250 730 175 D2PAK
FQI34P10TU PTH P 155 100 25 4 33.5 0.06 85 250 730 175 I2PAK
IRF5210L PTH P 200 100 20 4 40 0.06 120 - - 175 TO-262
IRF5210LPBF PTH P 170 100 20 4 38 0.06 150 63 800 150 TO-262
IRF5210PBF PTH P 200 100 20 4 40 0.06 180 86 790 175 TO-220AB
IRF5210SPBF SMD P 170 100 20 4 38 0.06 150 63 800 150 TO-263
IRFN5210 SMD P 150 100 20 4 34 0.06 180 86 790 175 SMD1
IRH9150 PTH P 150 100 20 4 22 0.075 - 150 1100 150 TO-3
IRHM9150 PTH P 150 100 20 4 22 0.08 - - - 150 TO-254AA
IRHM9160 PTH P 250 100 20 4 35 0.073 - - - 150 TO-254AA
IRHMK597160 PTH P 208 100 20 4 45 0.05 - 140 1574 150 TO-254AA
IRHMS597160 PTH P 208 100 20 4 45 0.05 - - - 150 TO-254AA
IRHNA597160 SMD P 250 100 20 4 47 0.049 170 100 1570 150 SMD2
IXTH90P10P PTH P 462 100 20 4 90 0.025 120 144 - 175 TO-247
IXTK90P20P PTH P 890 200 20 4 90 0.044 205 315 - 150 TO-264
IXTN90P20P Модуль P 890 200 20 4 90 0.044 205 315 - 150 ISOTOP
IXTR90P10P PTH P 190 100 20 4 57 0.027 120 144 - 150 ISOPLUS247
IXTR90P20P PTH P 312 200 20 4 53 0.048 205 315 - 150 ISOPLUS247
IXTT90P10P SMD P 462 100 20 4 90 0.025 120 144 - 150 TO-268
IXTX90P20P PTH P 890 200 20 4 90 0.044 205 315 - 150 PLUS247
RU1HP55R PTH P 176 100 25 4 55 0.04 155 87 535 175 TO-220
RU1HP60R PTH P 188 100 25 4 60 0.025 164 83 615 175 TO-220